Electronic Parts : GT10J312_06

יצרן : Toshiba Semiconductor

אריזה :

סיכות :

תיאור : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

טמפרטורה : מינימום °C | מקס °C

Datasheet : GT10J312_06 PDF

• GT10J311
• GT10J312
• GT10J312(SM)
• GT10J31206
• GT10J312SM
• GT10J312_06