Electronic Parts : W4NXD8C-L000

יצרן : Cree

אריזה :

סיכות :

תיאור : Diameter 50.8mm; low mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

טמפרטורה : מינימום °C | מקס °C

Datasheet : W4NXD8C-L000 PDF

• W4NXD8C-0000
• W4NXD8C-L000
• W4NXD8C-S000